內(nèi)存時(shí)序是一組參數(shù)，共同決定了內(nèi)存的響應(yīng)速度。理解這些參數(shù)有助于優(yōu)化系統(tǒng)性能。

一、時(shí)序參數(shù)含義

CL(CAS延遲)：從列地址選通到數(shù)據(jù)開始輸出的周期數(shù)，最關(guān)鍵

tRCD(RAS to CAS Delay)：從行到列地址選通的延遲

tRP(RAS Precharge)：行預(yù)充電時(shí)間

tRAS(Row Active Time)：行激活到預(yù)充電的最小時(shí)間

二、典型時(shí)序組合

普通：CL22-22-22-52

主流：CL16-18-18-38

優(yōu)質(zhì)：CL14-14-14-34

旗艦(三星B-Die)：CL14-15-15-35

三、時(shí)序?qū)π阅艿挠绊?

CL最主要影響隨機(jī)延遲，tRCD影響訪問新行的速度，tRP影響切換到新行的時(shí)間。游戲主要敏感于CL和tRCD。

四、調(diào)優(yōu)建議

優(yōu)先降低CL值

其次降低tRCD和tRP

tRAS建議設(shè)為tCL + tRCD + 2(最小值)

需配合電壓和頻率調(diào)整